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Si7905DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.20
I D = 5 A
T J = 150 °C
10
0.15
T J = 25 °C
1
0.10
T A = 125 °C
0.1
T A = 25 °C
0.05
0.01
0.001
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
0
2
4
6
8
10
2.2
2.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1. 8
1.6
1.4
1.2
I D = 250 μ A
30
20
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
0.01
Limited b y R DS(on) *
T A = 25 °C
Single P u lse
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69920
S11-2187-Rev. C, 07-Nov-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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